Qualcomm Snapdragon 835: 10-нм техпроцесс и быстрая зарядка за 5 мин

Компании Самсунг Electronics и Qualcomm Technologies объявили о расширении стратегического сотрудничества и совместной разработки чипсета Snapdragon 835.

В первую очередь, Quick Charge 4.0 стал производительнее: как утверждают создатели, от версии 3.0 новейшую технологию отличают на 20% огромная скорость и на 30% увеличенная эффективность подзарядки, а в сопоставлении со стандартом Quick Charge 1.0 четвёртое поколение скорее уже в 2,5 раза. Понятно, что новинка будет на 40% наименее энергозатратной, а кроме этого на 27% более производительной.

Само собой разумеется, Самсунг представит собственный чипсет под названием Exynos 8895, который также будет использовать 10-нанометровый процесс производства, хотя официальных заявлений по этому поводу пока не прозвучало.

Больше информации о Snapdragon 835 появится в первых числах января, а первые устройства на нем стоит ожидать в первой половине 2017 года.

Самсунг заявляет, что 10-нм процесс сделает чипы на 27% скорее и на 40% мощнее в сравнении со старым 14-нм процессом производства.

Snapdragon 835 также даст возможность заряжать мобильные телефоны быстрее. Snapdragon 835 заменит собой модели 820 и 821, которые можно найти во внутренностях актуальных на сегодняшний день флагманов, вроде HP Elite x3 либо Alcatel Idol 4S. Напомним, что Snapdragon 820 производится на 14 нм техпроцессе. Увы, каким именно будет этот прирост производитель пока не говорит. А 15-минутной зарядки хватит для того, чтобы заполнить средний аккумулятор от 0 до 50%. Новый продукт не мог обойтись без неё, поэтому внедрена Quick Charge 4.0. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить телефону 5 часов работы, это очень нужная фишка и характерная особенность Snapdragon 835.

Qualcomm Snapdragon 835: 10-нм техпроцесс и быстрая зарядка за 5 минут

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *